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COMPUTER AIDED MODELING OF GaAs MESFET STRUCTURES VIA MONTE CARLO METHOD

Vitali I.Yatskevich  Ali Abou-Elnour  Klaus Schünemann  
【摘要】:正 A new physical model invoking the concept of noise temperature as a characteristic of thethermal motion of electrons, and the computational afgorythm using Monte Carlo method areapplied to model noise phenomena in semiconductors. The results of theoretical investigationsand comparison with previoues data are discussed.Monte Carlo simulation represents one of the fast-growing and perspective methods for thecomputer-aided modelling of semiconductor devices and integrated circuits. The description ofphysical processes which is effectively incorporated in the model enables one to determine theparameters of a semiconductor device at the early stage of design.

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