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Dual Plane Structure for Monolithic Integration of GaAs and Si Devices

【摘要】:正 A novel dual plane structure for monolithic integration of GaAs and Si devices has been proposed and demonstrated.In this new structure,GaAs layers deposited on patterned Silicon substrates by MBE,the GaAs devices are naturally isolated by the poly-GaAs,and the interconnections between the Si and GaAs devices were formed through the vertical channels of single-crystalline GaAs.The less than 10-7uA leakage current means excellent isolation effect of poly-GaAs.

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