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SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH OF COMPOUND SEMICONDUCTORSBY MOCVD

D.J.Moore  A.Elshabini-Riad  J.Ramdani  S.M.Bedair  
【摘要】:正 A new growth technique was developed to selectively grow, in-situ, different compound semiconductor layers on separate areas of the substrate. The integration of optical devices and electronic devices on a single substrate generally results in very non-planar surfaces and/or compromises in the individual device layers and parameters. The new technique provides a method for opto-electronic integration by growing the individual device layers selectively on the

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