GaAs超突变结变容二极管的设计

姜海波赵润

【摘要】：本文详尽地讨论了砷化镓超突变结变容二极管的设计原理和方法。结合设计实践,给出了具有代表性质的变容二极管的设计过程和要注意的问题。

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前20条

1	孙再吉;;全球第一片6英寸0.15微米砷化镓pHEMT晶圆[J];半导体信息;2011年03期
2	李明;;有线电视双向放大器原理及常见故障检修四例[J];科学咨询(科技·管理);2011年06期
3	;科学家制成兼具电学光学性质光子晶体[J];光机电信息;2011年08期
4	李凡;史衍丽;赵鲁生;徐文;;太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算[J];红外与激光工程;2011年07期
5	;[J];;年期
6	;[J];;年期
7	;[J];;年期
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9	;[J];;年期
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20	;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	姜海波;赵润;;GaAs超突变结变容二极管的设计[A];全国第19届计算机技术与应用（CACIS）学术会议论文集（上册）[C];2008年
2	刘大春;杨斌;戴永年;刘自力;刘永成;吴昆华;;真空法处理砷化镓废料回收镓的研究[A];2004’全国真空冶金与表面工程学术研讨会会议论文集[C];2004年
3	屠海令;郑安生;张峰翊;邓志杰;王永鸿;钱嘉裕;韩庆彬;陈坚邦;;砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
4	朱健;徐景阳;;氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察[A];第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）[C];1994年
5	李拂晓;蒋幼泉;陈继义;钮利荣;高建峰;邵凯;杨乃彬;;高成品率手机用砷化镓单片开关[A];2001年全国微波毫米波会议论文集[C];2001年
6	徐永刚;蔡昱;王义;;C波段GaAs大功率内匹配晶体管的研制[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年
7	陈新宇;;GaAs MESFET电压驱动器[A];2005'全国微波毫米波会议论文集（第三册）[C];2006年
8	王翠卿;;C波段大功率GaAs MMIC[A];2005'全国微波毫米波会议论文集（第二册）[C];2006年
9	丁洪林;张秀风;张万昌;;GaAs核辐射探测器[A];第7届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（一）[C];1994年
10	岳爱文;王任凡;沈坤;石兢;李洛;唐建冠;;高性能850nm氧化限制型VCSELs研究[A];全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议（OFCIO’2003）论文集[C];2003年

中国博士学位论文全文数据库

前7条

1	任殿胜;砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究[D];天津大学;2003年
2	刘文超;砷化镓基高温HBT器件及其特性研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2004年
3	程知群;砷化镓微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2000年
4	刘林生;Ⅲ-Ⅴ族量子结构材料生长及相关自旋电子学的研究[D];兰州大学;2007年
5	马淑芳;LED用多晶化合物的微结构调控及物性研究[D];太原理工大学;2011年
6	戚伟;砷化镓载流子注入型光开关的研究[D];浙江大学;2009年
7	王肖莹;单片集成射频微波功率放大器及开关的设计研究[D];浙江大学;2012年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	葛兆云;砷化镓光电导探测器的质子辐照改性研究[D];四川大学;2004年
2	杨新荣;非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响[D];河北工业大学;2004年
3	刘芳芳;掺锰（Mn）砷化镓（GaAs）材料性质的研究[D];河北工业大学;2003年
4	宋彦福;砷化镓固浸透镜电光检测技术[D];吉林大学;2004年
5	张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
6	李亚丽;提高GaAs MESFET击穿电压的研究[D];河北工业大学;2005年
7	郑戈;用于GaAs基量子级联激光器的欧姆接触新结构、工艺与测量[D];上海交通大学;2008年
8	张亮亮;THz时域光谱系统及自由空间电光取样THz光谱测量[D];首都师范大学;2005年
9	吴振奎;砷化镓高速专用集成电路设计[D];西安电子科技大学;2005年
10	刘立浩;GaAs MESFET击穿特性研究[D];河北工业大学;2003年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	本报记者刘腾;砷化镓呼唤大资金[N];中华工商时报;2001年
2	孙荣;创新让外行驾驭顶尖技术[N];中国有色金属报;2007年
3	张小明;砷化镓产业：中国后来居上不是梦[N];中国电子报;2003年
4	陈树荣张九红;中国能够生产砷化镓[N];人民日报海外版;2002年
5	本报记者吴生锋通讯员龚德明;中显：打造一流半导体新材料基地[N];扬州日报;2007年
6	常佳;砷化镓—成功走向规模化生产[N];中国有色金属报;2004年
7	君毅;全球砷化镓产业版图重组[N];电子资讯时报;2002年
8	佳莹;中科镓英立志实现以砷化镓为代表的半导体产业化[N];中国有色金属报;2003年
9	李飞;我国砷化镓产业链不断扩大[N];中国有色金属报;2003年
10	郅诗厄;半导体家族的后起之秀砷化镓[N];北京科技报;2002年

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