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C波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC

孙环  欧荣德  徐锐敏  徐跃杭  
【摘要】:基于使用国产Si C衬底的Ga N HEMT器件,运用谐波控制技术设计了工作在5~6GHz的功率放大器MMIC。该放大器采用三级放大结构,在整个频带内输出功率大于55W,增益大于23d B,与不加入谐波控制结构的情况相比功率附加效率(PAE)提高了4.7%,达到45.5%;在5.4GHz时,输出功率大于58W,增益大于23.5d B,PAE达到47%,具有较好的性能。

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1 程知群;李成龙;;C波段GaN HEMT功率放大器设计[J];杭州电子科技大学学报;2013年06期
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