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基于Monte Carlo仿真的GaN HEMT统计模型研究

陈志凯  徐跃杭  徐锐敏  
【摘要】:本文提出一种准确的GaN HEMT统计模型。该模型方法包括主成分分析法、因子分析法以及多元回归模型。应用于GaN HEMT器件的等效电路参数时,通过对比原始及所建立模型的均值、标准差、相关矩阵和S参数,证明了此方法建立模型的准确性。此外,本文最大的成果在于将统计模型用于Ku波段功率放大器的设计和分析中,并且通过对比仿真和实测结果证明了此方法的准确性。

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