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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

陈勇波  周建军  徐跃杭  国云川  徐锐敏  
【摘要】:本文基于FUKUI噪声模型分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明GaN HEMT由于具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第二代半导体(GaAs等)器件相比具有更优越的噪声潜力。对近十多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究现状进行了综述,并分析了目前存在的主要问题及其发展趋势。

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