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Ka波段单片集成高增益低噪声放大器

王强济  国云川  罗熙  
【摘要】:本文介绍了一单片集成高增益、低噪声放大器的设计。该低噪放使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,采用4级级联共源拓扑结构。应用自偏置和有耗匹配技术来获得更好的回波损耗和增益平坦度等性能。版图仿真结果为:工作频段30-40GHz,增益大于29dB,噪声系数小于1.8dB,输入输出回波损耗优于10dB。芯片版图面积2.5mm×1mm。

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