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基于SiC器件的高效E类功率放大器

陈文华  王莉  冯正和  薛新  董佳兴  
【摘要】:本文基于SiC MESFET(Silicon Carbide Metal-Semiconductor Field Effects Transistors)设计实现了在L波段输出功率大于30W得高效率E类功率放大器。放大器的输入输出匹配网络采用微带传输线实现,利用ADS进行了仿真分析和优化,并给出了具体设计和实现过程。实际测量表明,该功率放大器在工作电压为35V,输入功率为2.5W的情况下,最大输出功率可以达到32.5W,漏极效率达到64%,增益可以达到10dBm。

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