--《》年论文

【摘要】：本文介绍了C波段大功率GaAs MMIC的电路设计、结构以及单片的制作和性能测试分析等,经测试该单片性能在5.0～5.6GHz输出功率大于36dBm,增益大于26dB,功率附加效率大于30%。芯片尺寸:4.0mm×2.3mm×0.1mm

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中国重要会议论文全文数据库

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5	朱健;徐景阳;;氩注入砷化镓中的高分辨电镜观察[A];第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）[C];1994年
6	姜海波;赵润;;GaAs超突变结变容二极管的设计[A];全国第19届计算机技术与应用（CACIS）学术会议论文集（上册）[C];2008年
7	刘建栋;高燕宇;吴景峰;;小型化微波功率介质振荡器的研究与设计[A];2009年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2009年
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1	葛兆云;砷化镓光电导探测器的质子辐照改性研究[D];四川大学;2004年
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3	严飞;大功率它激式电子管射频电源设计及实验研究[D];华中科技大学;2011年
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6	宋彦福;砷化镓固浸透镜电光检测技术[D];吉林大学;2004年
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8	李亚丽;提高GaAs MESFET击穿电压的研究[D];河北工业大学;2005年
9	赵桂平;大功率射频连接器的设计和功率测试系统的建立[D];合肥工业大学;2005年
10	郑戈;用于GaAs基量子级联激光器的欧姆接触新结构、工艺与测量[D];上海交通大学;2008年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	本报记者刘腾;砷化镓呼唤大资金[N];中华工商时报;2001年
2	孙荣;创新让外行驾驭顶尖技术[N];中国有色金属报;2007年
3	张小明;砷化镓产业：中国后来居上不是梦[N];中国电子报;2003年
4	陈树荣张九红;中国能够生产砷化镓[N];人民日报海外版;2002年
5	本报记者吴生锋通讯员龚德明;中显：打造一流半导体新材料基地[N];扬州日报;2007年
6	常佳;砷化镓—成功走向规模化生产[N];中国有色金属报;2004年
7	君毅;全球砷化镓产业版图重组[N];电子资讯时报;2002年
8	云南王德朝;介绍一款石胆功率接续器[N];电子报;2009年
9	佳莹;中科镓英立志实现以砷化镓为代表的半导体产业化[N];中国有色金属报;2003年
10	李飞;我国砷化镓产业链不断扩大[N];中国有色金属报;2003年

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