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功率GaAs MESFET内匹配电路的研究

秦月梅  邱景辉  梁忠宏  蒋宏宇  李大斌  
【摘要】:根据GaAs MESFET等效电路模型及管芯S参数完成了GaAs MESFET内匹配电路的设计。在3·68~4.0GHz内,其单芯(总栅宽10.8mm)功率GaAs MESFET,1dB压缩点功率大于3.3w,线性增益大于9dB,最大附加效率大于30%。双芯(总栅宽21.6mm)功率GaAs MESFET,其1dB压缩点功率大于5w,线性增益大于8dB,最大附加效率大于30%。

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