【摘要】：本文根据Barlow提出的在TE_(01n)模谐振腔上耦合一段截止波导构成复合腔的原理,首次在S波段对复合半导体材料的介电性能进行测量。为克服相对介电常数灵敏度差的缺点,在TE_(01n)腔体上引入介质杆微扰技术,采用适当直径的介质杆,提高测量灵敏度80～200倍。测量结果表明能得到可靠的结果。该方法采用圆片样品,避免了同轴传输线法中的难以加工的高精度环状样品。此外,也对同时测量材料的复磁导率进行理论上的叙述,但由于实验数据还没有全部完成,本文没有给出测量结果。