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2-4GHZ微波宽带低噪声放大器

王晓渝  
【摘要】:本文介绍了将微波电路CAD用于宽带低噪声GaAs MESFET放大器的设计。成功地研制了工作在2—4GHZ频带内的宽带低噪声放大器。其性能指标为f:2-4GHZ,G_p≥20db,△G_p≤±1db、N_p≤3.0db。考虑到环境条件,在结构、元器件的选取等采用了可靠性设计技术。该放大器采用+12v电源供电,体积66×36×20mm~2,结构紧凑,性能可靠,达到国际80年代同类产品水平,经受了-55℃~+85℃环境温度考验,做到了小型化,固体化,集成化。

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