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一种低互调的FET混频器

初大庆  
【摘要】:本文介绍一种新型电阻型混频器的设计和特性,该混频器使用一只GaAs MESFET沟道电阻作为混频器件,这种电阻的线性很好。因而混频器的互调失真很小。该混频器可用现有混频器理论分析,在C波段本振功率9.5dBm时,混频器的变频损耗为8.5dB,载波、三阶互调功率比C/N_(1m3)58dB。

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