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大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进

尤金霜  李永建  李红梅  任世强  
【摘要】:在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上,将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm,并在大型卧式真空烧结炉,温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明,该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合金结,并能保持器件的反向阻断特性和通态特性,保持一定的成品率,且降低了产品成本,响应了节能、低碳的生产要求。

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