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电沉积法制备巨磁电阻功能膜研究

赵林  樊占国  苏海  
【摘要】:简要介绍了巨磁电阻材料的相关内容,包括定义、应用及制备手段。采用电化学的方法在半导体 Si 表面沉积了 CuCo 颗粒膜。研究电沉积工艺参数,如镀液的主盐离子浓度、络合剂浓度以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层组成的影响。发现膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、络合剂浓度以及沉积时的电流密度有着直接的联系。磁阻测量及真空退火处理后发现,经过450℃退火处理1h 后 Cu80Co20薄膜 GMR 达到最大值,随着温度的升高膜层的电阻率也随之下降。XRD 分析表明经过退火处理膜层中出现 Co 粒子的析出,出现了局部富钴的区域。磁阻测量表明此时有利于提高膜层的 GMR 值。

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