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中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

石磊  金大志  
【摘要】:中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成。当离子束轰击靶产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,从而影响中子参数,因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流。本文简单讨论了中子发生器中二次电子流的产生机制,并讨论了几种抑制方法。模拟计算表明,在法拉第圆筒的基础上加上电场或磁场抑制,特别是电场抑制能很好地抑制二次电子流。

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