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PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

王灿  石云  方前锋  朱震刚  
【摘要】:用传统的固态反应法制备了 Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电陶瓷,在低频扭摆上采用强迫振动的方式,在 0.05~4 Hz 的频率范围内测量了 PZT 铁电陶瓷的内耗温度特征.在室温至350℃的内耗-温度曲线上,290 ℃和150℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰 P_1和 P_2,并且在50℃附近观察到一个较低的内耗峰.根据 Ar- rhenius 关系,分别计算得到 P_1的激活能 E_1=2.09 eV,τ_(01)=3×10~(-20)s,P_2的激活能 E_2=1.04 ev,τ_(02)=8× 10~(-14)s,并且分析了 P_1和 P_2内耗峰的机制.

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