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氧离子导体La_2Mo_2O_9中与相变有关的内耗

王先平  方前锋  水嘉鹏  
【摘要】:用低频内耗的方法研究了多晶氧离子导体 La_2Mo_2O_9的高温内耗-温度谱,实验中在840 K 附近观察到一尖锐内耗蜂的出现.分别用0.1、0.5、1.0、2.0和3.0 Hz 的频率以及3、5、7和9K/min 升温速率对试样进行了变频和变温测量,结果表明,随着频率的增加,峰温基本保持不变,而峰高降低;随升温速率的增加,峰温移向高温,且峰高增加.DSC 测量结果显示,在同一温区范围内有一吸热峰出现,与内耗测量结果相对应.进一步分析表明:DSC 和内耗测量的峰温与升温速率的关系均满足 Kissinger 方程,对应的表观激活能为(5.6±0.1)eV.分析表明 La_2Mo_2O_9的高温内耗峰起因于高温晶格畸变,为一级相变内耗峰, 并发现 La 位用 w=5%、10%和15%的 Ca 掺杂能够有效地抑制这一结构相变.

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