与畴界运动有关的内耗和介电损耗研究 (Ⅰ)实验部分
【摘要】:正对二级相变或弱一级相变材料 NLPP 和 A15的内耗研究表明,在 T_c 以下存在一个与界面有关的内耗峰,虽然初步肯定该峰与畴界密度,畴界的互作用以及序参量有关,但其微观机制仍需深入探讨。
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