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振动位错拖曳点缺陷产生内耗的计算机模拟

孙宗琦  
【摘要】:正最基本的内耗源是声子-声子和声子-电子散射,位错的阻尼源也是它们。由于位错阻尼系数 B_d 较小,M_d 有效质量更小,因此,由它们和自由位错段固有刚度 R_d 所决定的过阻尼共振, 只在兆周频率以上可测量出,目前已发现的中低频位错阻尼源有三类:1.大应力下位错过阻尼脱钉(静滞后);2.小应力下位错热激活(双能级);3.位错拖曳可动点缺陷.实际位错内耗往往是三者的有机结合.本文评述位错拖曳的物理方向及作者的有关计算机模拟结果.

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