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低层错能铜合金中210K低频内耗峰的机制

孔庆平  李勇  
【摘要】:正一、引言 Cu-Al(2~15at.%Al)和 Cu-Zn(2.5~30at.%Zn)合金,经过冷加工后,在210K 附近出现一个弛豫型低频内耗峰(测量频率约1Hz)。在冷加工度相同时,这个内耗峰的高度随层错能的降低而增高。由于这些合金具有较低的层错能,我们认为此内耗峰可能与扩展位错的运动有关,从而本文提出一个理论模型,用以解释 Cu-Al 和 Cu-Zn 合金中的上述内耗峰。

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