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MFMIS结构铁电场效应晶体管研究

蔡道林  李平  翟亚红  张树人  
【摘要】:采用磁控溅射法制备了(111)向择优的 Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si 衬底(MFMIS)结构的 p 沟道铁电场效应晶体管。研究表明具有顺时针的 I_d-V_g 滞回曲线的 p 沟道 PZT 铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V 到+5V 的 V_g 电压下从 I_d-V_g 滞回曲线中都得到了1V 的存储窗口。存储窗口随-V_g 的增大而增大。

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