功率MOSFET技术发展概述

【摘要】：功率MOSFET产品从发明至今,已经经历了数代产品,产品技术已经非常成熟,市场需求量巨大,并大量应用于电力电子、消费电子、汽车电子等领域。同时由于节能减排,以及提高电力转换效率的要求,国家近年通过各种手段,大力支持功率MOSFET产品的发展,现在国内数家半导体晶圆制造厂商已经掌握了MOSFET产品的核心技术,并在市场上占有了一定的份额。

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中国期刊全文数据库

前20条

1	Filippo Di Giovanni ,Gaetano Bazzano ,Antonio Grimaldi;包含热模型的大功率MOSFET新型电路模型[J];今日电子;2003年03期
2	;飞兆半导体推出四款30V、N沟道汽车应用MOSFET[J];电子与电脑;2004年03期
3	陈大同,李志坚;一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型[J];电子学报;1990年06期
4	柯导明,童勤义;宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性[J];电子学报;1993年02期
5	子凡;一种能避免在感性负载去激过程中导通的MOSFET开关电路[J];安徽科技;1994年02期
6	吴刚;G&W TW-F600SE型MOSFET合并式放大器详解[J];实用影音技术;2001年04期
7	徐昌发,杨银堂,刘莉;4H-SiC MOSFET的温度特性研究[J];物理学报;2002年05期
8	方圆,李伟华,钱莉;一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构与工艺[J];微电子学;2004年04期
9	C.Frank Wheatley,Jr,蔡永才;COMFET——最终的功率器件功率器件的一般性研究[J];微电子学;1987年01期
10	陈南翔,张旭光,张美云,李映雪,王阳元;ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究[J];半导体学报;1992年05期
11	;防止电池反接的MOSFET[J];电子产品世界;1996年06期
12	周浩华,姚立真,郝跃;深亚微米MOSFET模型研究进展[J];电子科技;1997年02期
13	;飞利浦半导体新型超小型功率开关MOSFET[J];世界电子元器件;1998年08期
14	陈学良,王自惠;非对称轻掺杂漏(LDD)MOSFET[J];半导体学报;1990年02期
15	龙伟,徐元森;提高MOSFET沟道载流子迁移率的新方法[J];半导体学报;1990年11期
16	张义门,滕建旭;亚微米MOSFET的计算机模拟[J];半导体学报;1991年05期
17	张刚;SiC半导体材料与器件[J];半导体技术;1995年01期
18	;Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件[J];电子工程师;2002年10期
19	;5种N沟道40V MOSFET[J];世界产品与技术;2003年02期
20	魏智;-48V电信线卡热插拔方案[J];单片机与嵌入式系统应用;2004年08期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	王锐;石会平;张学涛;闫凤群;;功率MOSFET技术发展概述[A];第二十五届中国（天津）2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议论文集[C];2011年
2	胡宗刚;;非绝缘型MOSFET的散热处理工艺[A];2011中国电子制造与封装技术年会论文集[C];2011年
3	程加力;李寿林;韩波;翟国华;孙玲;高建军;;一种改进的射频微波MOSFET模型参数提取技术[A];2011年全国微波毫米波会议论文集（下册）[C];2011年
4	季旭东;;在FEA中使用的MOSFET技术[A];中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会论文集[C];1999年
5	齐领;恩云飞;章晓文;;MOSFET亚阈值斜率随温度变化关系研究[A];中国电子学会可靠性分会第十四届学术年会论文选[C];2008年
6	孟志琴;唐瑜;曹艳荣;李永坤;;90nm～65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究[A];中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会论文选[C];2006年
7	王燕;田立林;;肖特基结MOSFET的发展现状[A];第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集[C];2000年
8	王仲娟;葛芦生;王文娟;郝玲玲;陈志杰;束林;;MOSFET电流源驱动原理及实现[A];2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集[C];2008年
9	张良;刘承俊;;多个功率MOSFET器件并联的固体开关设计[A];第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会论文集[C];2006年
10	张国强;严荣良;余学锋;高剑侠;任迪远;范隆;赵元富;胡浴红;;掺HCl MOSFET辐照后退火特性的研究[A];第7届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集（三）[C];1994年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	李寿林;基于神经网络的微波射频MOSFET器件建模[D];华东师范大学;2011年
2	李聪;纳米围栅MOSFET器件研究[D];西安电子科技大学;2011年
3	李曦;40nm MOSFET性能波动分析与模型研究[D];华东师范大学;2012年
4	秦珊珊;硅基应变MOSFET的研究和设计[D];西安电子科技大学;2011年
5	周谦;源漏诱生应变Si/Ge沟道MOSFET关键技术研究[D];电子科技大学;2012年
6	程加力;射频微波MOS器件参数提取与建模技术研究[D];华东师范大学;2012年
7	李劲;新型应变SGOI/SOI MOSFET的结构设计及性能分析[D];西安电子科技大学;2011年
8	徐玉存;MOSFET调制器关键技术及氦离子FFAG感应加速腔模拟研究[D];中国科学技术大学;2011年
9	陈勇;MOSFET热载流子退化效应的研究[D];电子科技大学;2001年
10	刘志英;新型纳米器件的电学特性和可靠性研究[D];复旦大学;2011年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	吴志猛;沟槽型功率MOSFET设计与栅电荷研究[D];西南交通大学;2012年
2	张杰;叠栅MOSFET的结构设计与特性研究[D];安徽大学;2010年
3	沈晔;MOSFET封装不良与最终测试的技术研究[D];上海交通大学;2010年
4	上官晓娟;MOSFET并联射频C类放大器[D];郑州大学;2010年
5	顾经纶;用于超大规模集成电路的多栅MOSFET研究[D];复旦大学;2011年
6	熊英英;车用低压大电流MOSFET模块驱动与保护研究[D];北京交通大学;2012年
7	孟茜倩;深亚微米MOSFET建模技术研究[D];华东师范大学;2012年
8	杨颖琳;槽栅倒掺杂MOSFET的研究[D];安徽大学;2010年
9	杨建兴;压力对MOSFET跨导调制的研究[D];中北大学;2011年
10	唐冬和;纳米MOSFET散粒噪声抑制及其应用[D];西安电子科技大学;2011年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	典循翻译;MOSFET参数与D类声频放大器性能的关系(4)[N];电子报;2010年
2	张达摘译;大功率MOSFET的V_(GS)测量电路[N];电子报;2011年
3	典循翻译;MOSFET参数与D类声频放大器性能的关系(3)[N];电子报;2010年
4	典循翻译;MOSFET参数与D类声频放大器性能的关系(2)[N];电子报;2010年
5	四川曹文;MOSFET实用检测技巧[N];电子报;2004年
6	吴;发展中的沟槽栅MOS器件[N];中国电子报;2001年
7	;简单易制的D类100W功放[N];电子报;2003年
8	江西陈金如;TOPSwitch-Ⅱ的使用注意事项[N];电子报;2005年
9	辽宁工学院陈永真;电力电子器件技术发展重点[N];中国电子报;2004年
10	上海 ericman;远离爆浆[N];电脑报;2005年

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