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PZT铁电薄膜存储器件的疲劳机理与对策

陆裕东  何小琦  恩云飞  王歆  庄志强  
【摘要】:氧空位的相对移动及在电极/铁电薄膜界面的捕获是引起铁电薄膜器件产生疲劳的一个重要原因.本文在明确相关疲劳机理的基础上,采用 sol-gel 和磁控溅射的方法在 Si 衬底上成功制备了 PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3/BaPbO_3/Pt 异质结构.与在传统的 Pt 底电极上的 PZT 铁电薄膜器件相比.在 BaPbO_3/Pt 电极上制备的 PZT 薄膜器件具有更为优良的铁电性能.剩余极化强度为26μC/cm~2,矫顽电场为86 kV/cm。在经过10~(11) 次极化反转后,极化强度值基本保持不变,显示了优良的抗疲劳特性。

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