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铜CMP中工艺参数对抛光速率的影响

王胜利  袁育杰  刘玉岭  
【摘要】:为了提高铜布线化学机械抛光效果,对其抛光工艺进行了研究。采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行抛光,讨论了抛光压力、温度、氧化剂含量、流量等对抛光速率的影响。结果表明,不降低表面质量,在抛光压力为0.15 MPa时,抛光片的抛光效果和抛光速率达到最佳;在20~30℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用;抛光液流量在200 mL/m in时,既节约了生产成本又能提高效率;当氧化剂体积分数在2%~3%时,抛光液既保持了较好的稳定性,又能保证氧化能力,从而提高抛光速率。

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