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MOCVD制备PbTiO_3铁电薄膜的研究

陈延峰  孙力  于涛  闵乃本  姜晓明  修立松  
【摘要】:由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用,使铁电薄膜的制备成为研究热点。本文报道了利用低压 MOCVD 工艺分别在(001)取向 SrTiO_3和重掺杂硅单晶衬底上制备 PbTiO_3铁电薄膜的工作。通过 X 射线衍射、AFM 和 Raman 光谱对薄膜的微结构进行分析,在 SrTiO_3衬底上获得了单畴、多畴等几种畴结构组态,从实验上证实了铁电薄膜中畴的形成与薄膜的厚度有关;得到了铁电薄膜邻位面台阶生长的实验证据;对薄膜的晶格畸变,晶格振动及自发极化的测量发现,PbTiO_3 薄膜具有明显的“铁电弱化”现象。对上述现象,本文提出了初步的解释。

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