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基于定量原子像图像分析的InSb/GaAs半导体界面原子结构模型

王绍青  孟祥敏  谢天生  褚一鸣  
【摘要】:正由于 InSb/GaAs 半导体材料在半导体器件研制与生产中的重要用途,长期以来对该两相半导体界面物性的研究一直是固体材料结构研究中的一个重要方面。本文工作利用由我们近期开发的高分辨原子像定量分析计算机图像处理软件包对 InSb/GaAs 两相界面处的晶格位移及畸变程度进行了定量分析。基于原子像定量分析的结果,我们提出了该两相半导体界面的原子结构模型。我们证明以该模型为基础,可以对观察到的实验现象作出合理的解释。

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