MoCVD GaAs外延层中“布纹状”缺陷分析

【摘要】：正金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)是半导体材料生长的一门新技术,MOCVD材料在半导体激光器等方面有着重要作用。本文用的材料是生长在掺In半绝缘GaAs上的GaAs外延膜。用扫描电镜的阴极荧光(CL)模式观察,发现有大量黑线缺陷组成“布纹状”图形。这些黑线缺陷大致沿两个互相垂直的(110)方向,如图1,一个方向较密,另一个方向较稀疏。图2是横断面的TEM照片,显示有大量位错网络存在。有的网络从衬底一直沿伸生长到处延层,有的是外延层内产生的。平面(001)样品显示的位错网络与SEMCL像相符。用衍衬法确定这些位错主要是60°位错,是滑移形成的。X射线双晶衍射发现此材料有万分之三的晶格

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中国期刊全文数据库

前20条

1	张东国;李忠辉;孙永强;董逊;李亮;彭大青;倪金玉;章咏梅;;利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究[J];固体电子学研究与进展;2011年04期
2	周志文;贺敬凯;李成;余金中;;采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜[J];光电子.激光;2011年07期
3	刘文辉;;75A/100V VDMOS设计制造[J];民营科技;2011年07期
4	殷允超;黄秋萍;;ESD保护栅结构20V N沟道沟槽VDMOSFET设计[J];电子与封装;2011年06期
5	闫果果;孙国胜;吴海雷;王雷;赵万顺;刘兴昉;董林;郑柳;曾一平;;4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究[J];半导体光电;2011年03期
6	尹甲运;刘波;王晶晶;李佳;敦少博;冯志红;蔡树军;;Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响[J];半导体技术;2011年09期
7	高国龙;;法国的碲镉汞红外探测器[J];红外;2011年08期
8	陈金菊;王步冉;邓宏;;LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展[J];半导体光电;2011年04期
9	辛启明;刘英坤;贾素梅;;SiGe异质结晶体管技术的发展[J];半导体技术;2011年09期
10	王平;杨银堂;郭立新;尚韬;刘增基;;SiC欧姆接触特性[J];西安电子科技大学学报;2011年04期
11	廖秀英;周勋;杨晓波;赵红;赵文伯;;通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料[J];半导体光电;2011年03期
12	罗杰;;700V高压LDMOS的比较研究及优化[J];科技促进发展(应用版);2010年12期
13	贠利君;魏同波;刘乃鑫;闫建昌;王军喜;李晋闽;;InAlN薄膜MOCVD外延生长研究[J];半导体技术;2011年08期
14	孙再吉;;氧化镓衬底GaN基的LED[J];半导体信息;2011年03期
15	高慧莹;;国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势[J];电子工业专用设备;2011年07期
16	赵志桓;姜维宾;韩希方;张礼;李惠军;李东华;;功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究[J];半导体技术;2011年09期
17	罗新民;张静文;马辉;张永康;陈康敏;任旭东;罗开玉;;2A02铝合金中强激光冲击诱导的位错组态分析[J];光学学报;2011年07期
18	;[J];;年期
19	;[J];;年期
20	;[J];;年期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	姜彤弼;李成基;都安彦;褚一鸣;;MoCVD GaAs外延层中“布纹状”缺陷分析[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
2	景微娜;解新建;郝秋艳;梅俊平;阎文博;刘彩池;冯玉春;刘文;;衬底处理对GaN外延层中应力的影响[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
3	梁伟;张绍远;赵兴国;李晋敏;;TiAl基合金中的相变诱发位错网[A];第二届全国扫描电子显微学会议论文集[C];2001年
4	张吉英;张振中;单崇新;钟国柱;刘益春;申德振;;等离子体协助的ZnS:Mn外延层生长及其电致发光[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
5	刘庆;孟庆昌;崔约贤;刘志儒;;08F钢亚晶界位错网络的弱束暗场显示[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
6	尹甲运;刘波;袁凤坡;梁栋;冯志宏;;AIN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
7	曹健兴;李述体;范广涵;章勇;尹以安;郑树文;梅霆;苏军;;铝预处理对硅衬底上AIN缓冲层与GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
8	张振中;申德振;单崇新;张吉英;吕有明;范希武;;衬底温度对Cd_xZn_(1-x)Te外延层中Cd组分含量的影响[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
9	胡雨生;胡福义;李爱珍;诸幼令;;MBE—GaAs/Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
10	邹进;都安彦;冯国光;丁爱菊;侯宏启;黄琦;周均铭;;GaAs/Si外延层的TEM研究[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	李晓峰;第三代像增强器研究[D];中国科学院西安光学精密机械研究所;2001年
2	项若飞;硅衬底上GaN外延层和AlGaN/GaN异质结的MOCVD生长研究[D];华中科技大学;2011年
3	莫春兰;硅衬底GaN基蓝光LED材料生长及器件研制[D];南昌大学;2006年
4	熊德平;通信光电子半导体材料异质兼容的理论与实验研究[D];北京邮电大学;2007年
5	周志文;Si基SiGe、Ge弛豫衬底生长及其Ge光电探测器研制[D];厦门大学;2009年
6	戴江南;ZnO薄膜的常压MOCVD生长及掺杂研究[D];南昌大学;2007年
7	程新利;厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2005年
8	任爱光;单片集成通信光电子器件中异质兼容问题的理论与实验研究[D];北京邮电大学;2006年
9	吕吉贺;InP/GaAs、GaAs/Si、InP/GaAs/Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用[D];北京邮电大学;2008年
10	杨鸿斌;微区中分子束外延生长SiGe/Si异质结构研究[D];复旦大学;2007年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	郎佳红;GaN ECR-PEMOCVD生长表面RHEED图像研究[D];大连理工大学;2004年
2	朱筠;SID关键制造技术的研究[D];兰州大学;2006年
3	甄可龙;硅外延生长电阻率与厚度一致性的研究[D];河北工业大学;2003年
4	臧源;p-Si/n-SiC异质结及其光电特性[D];西安理工大学;2010年
5	洪炜;MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究[D];浙江大学;2005年
6	彭新村;中红外InAsSb材料的MOCVD生长特性研究[D];吉林大学;2007年
7	季伟;锗硅外延工艺的调试和优化[D];复旦大学;2009年
8	夏庆锋;Epi-SOI硅片制备及表征[D];浙江大学;2007年
9	汤艳娜;MOCVD法生长InAs/GaSb Ⅱ型超晶格材料的研究[D];吉林大学;2008年
10	杜阳;高Al组分的AlGaN外延材料的MOCVD生长研究[D];西安电子科技大学;2009年

中国重要报纸全文数据库

前10条

1	饶祖刚;性能差异化功率器件制造面临多重挑战[N];中国电子报;2008年
2	郦扬成;硅片直接键合迅速发展[N];中国电子报;2001年
3	本版编辑经济视点报记者牛尚李世顶王舒胡钰李光斗姜华山;企业奥运会：另一场激情“奥运”[N];经济视点报;2008年
4	;掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件[N];中国有色金属报;2004年
5	本报记者刘焱焱;企业宽带新梦想[N];网络世界;2001年
6	刘中东;宽带应用企业为先[N];人民邮电;2001年
7	伦绮雯;肯德基麦当劳为何不上网销售[N];经理日报;2002年
8	丁时照胡佩霞;方大，中国半导体照明产业先锋[N];深圳商报;2004年
9	本报记者高莎;京城药品零售业重新洗牌[N];工人日报;2002年
10	高伟;从区域强势走向行业领袖[N];中国机电日报;2002年

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