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水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究

孙贵如  李玉珍  
【摘要】:正 做为衬底材料的各种掺杂和不掺杂的GaAs单晶材料中的微沉淀及微夹杂,都影响GaAs器件及集成电路的性能。我们用JEM-1000超高压电镜,采用选区电子衍射技术,研究了掺Si、掺Cr及纯度水平法生长(HB)低位错GaAs单晶中的As和C微小第二相的形态及结构。采用约化胞法、借助电子计算机计算约化胞数据表,来分析标定电子衍射花样确定结构。经电子衍射分析表明,掺Si、掺Cr及纯度水平法生(?)GaAs单晶中有二种结构类型As沉淀、一种为六方晶系As(a_0=3.76埃,c=10.55埃),另一种为正交晶系As(a_0=3.63埃,b_0=4.45埃,C_0=10.96埃),而且它们往往与α-方石英微沉淀(或微夹杂)或c微夹杂、或Cr_n As微沉淀共存(照片1)。电子衍射分析还表明,GaAs单晶中c的微夹杂是简单立方结构(a_0=5.55埃)。为了进一步验证水平法生长GaAs单晶中有c微夹杂存在,用JXA—50A扫描电子探针分析观察了,刚刚做好的电镜样品。

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