脉冲直流反应磁控溅射制备氧化铌薄膜的性质

【摘要】：使用脉冲直流反应磁控溅射在不同基底偏压的条件下制备Nb_2O_5薄膜。制备过程为金属Nb靶在纯氧环境中反应完成。使用光谱仪,原子力显微镜,场发射扫描电镜研究了Nb_2O_5薄膜的性质。对Nb_2O_5单层膜进行了激光损伤测试。测试激光脉冲为12ns,波长为1064nm。结果表明,相对阴极电压而言,基底偏压对薄膜损伤阈值具有很大的影响,基底偏压为-60V制备的Nb_2O_5薄膜损伤阈值最高,达到28.8J/cm~2。

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