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自组织二氧化硅纳米空腔薄膜的椭圆偏振光谱研究

孙斌  郑玉祥  陈岳瑞  伊藤彰义  陈良尧  
【摘要】:二氧化硅是现代超大规模集成电路工艺中应用最多最广的介质材料,在本文介绍的工作中,我们采用自组织生长方法得到了一系列二氧化硅纳米空腔薄膜,其空心管直径为3- 5nm。随后,我们使用椭圆偏振光谱仪对样品在1.5-4.5eV光子能量范围内进行了测量,并利用有效介质模型对测得的光谱进行了拟合,得到了不同的生长条件与光学常数之间的关联关系。

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