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超级化学镀铜沉积机理的研究

王增林  王秀文  刘宗怀  杨祖培  
【摘要】:正大马士革铜互连线已经广泛的应用于超大集成电路铜互连线的制造过程。为了填充高深径比、直径在0.1微米左右的微孔,需要电镀铜在微孔底部的沉积速率大于在微孔开口处的沉积速率,即超级电化学沉积。然而,随着芯片的集成度越来越高,物理气相沉积(PVD)很难在微孔的底部形成连续的铜种子层,从而导致不完全填充。我们通过向化学镀铜溶液中添加以 SPS 为主要成分的添加剂,在世界上首次成功的实现了超级化学铜沉积。SPS 的主要作用为抑制化学铜在表面的沉积,从而增加了化学铜在微孔中的沉积速率。随后。韩国的 kim 报道,在未加其他任何添加剂的化学镀铜溶

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