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Study of the Performance on Planar GaAs Radio Frequency Diode Mixer Device


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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前20条
1 王茂增,黄明祥;GaAs/Pt-W-Pt-Au势垒[J];半导体技术;1983年03期
2 刘文明,李甲;紧束缚法计算GaAs-GaP超晶格的能带结构及电子的有关性质[J];半导体学报;1983年02期
3 刘鸿雁;GaAs MESFET低温性能实验[J];固体电子学研究与进展;1984年04期
4 陈志豪,王渭源,周勉;GaAs-绝缘薄膜界面和金属-绝缘薄膜-半导体(MIS)结的特性[J];物理;1985年10期
5 刘锡田;超高速大规模集成电路用SI-GaAs材料的现状及展望[J];稀有金属;1986年04期
6 侯晓远,杨曙,董国胜,丁训民,王迅;用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),()表面上的吸附[J];物理学报;1987年08期
7 盛柏桢;最高工作频率12GHz的高集成度GaAs IC[J];固体电子学研究与进展;1990年02期
8 卜俊鹏,郑红军,何宏家,吴让元;GaAs晶片化学机械抛光的机理分析[J];固体电子学研究与进展;1997年04期
9 王春瑞,罗起,范志国,李安利,朱升云;GaAs中子辐照效应研究[J];中国原子能科学研究院年报;1997年00期
10 金禾;迎接后硅时代涌动化合物半导体[J];电子产品世界;2002年19期
11 ;GaAs莱塞和非相干红外发光二极管的工艺与设计(一)[J];发光学报;1971年04期
12 广东潮安县无线电厂数码管研制小组 ,广东师院物理系数码管研制小组;磷砷镓(GaAsP)数码管试制小结[J];华南师范大学学报(自然科学版);1974年02期
13 丁训民,董国胜,杨曙,王迅,徐亚伯;GaAs(100)和InP(100)面上表面光学声子的实验观察[J];半导体学报;1983年03期
14 戴国瑞,吕德安,方石平,王艳阳,梁大成;用PECVD法制备SiO_2进行Zn在GaAs中掩蔽扩散研究[J];固体电子学研究与进展;1987年02期
15 胡建栋,施浩,翁渝民,邱绍雄,宗祥福,谢荣;MBE GaAs缺陷络合线系的本质[J];红外与毫米波学报;1988年Z1期
16 郭宝增;几种改进的分子束外延(MBE)技术[J];半导体技术;1990年06期
17 盛柏桢;东芝开发世界最高速光通信用的GaAs IC[J];固体电子学研究与进展;1990年02期
18 钱鹤,罗晋生;硅化物与GaAs肖特基接触的快速退火特性[J];固体电子学研究与进展;1991年01期
19 李拂晓;1990年 IEEE GaAs集成电路讨论会概况[J];固体电子学研究与进展;1991年01期
20 鄢俊明;砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性[J];微电子学;1991年04期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 ;Study of the Performance on Planar GaAs Radio Frequency Diode Mixer Device[A];2002海峡两岸三地无线科技研讨会论文集[C];2002年
2 牛智川;王晓东;汪辉;孔云川;澜清;周大勇;苗振华;封松林;;In_xGa_(1-x)As/GaAs自组织量子点材料、物理与器件[A];2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集[C];2001年
3 朱岩;倪海桥;王海莉;贺继方;李密峰;尚向军;牛智川;;GaAs基异变量子阱[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
4 季海铭;徐鹏飞;谷永先;杨晓光;杨涛;;新一代高速光通信网络用低成本、低功耗、高性能GaAs基1.3微米量子点激光器的研究[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年
5 牛沈军;王建利;丰梅霞;周传新;兰天平;;光电器件用GaAs衬底材料的技术发展[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
6 王勇刚;张志刚;马骁宇;宋宴蓉;;半导体技术辅助实现从纳秒到飞秒脉冲激光[A];大珩先生九十华诞文集暨中国光学学会2004年学术大会论文集[C];2004年
7 崔晓英;;GaAs器件寿命试验及其方法比较[A];2009第十三届全国可靠性物理学术讨论会论文集[C];2009年
8 郝瑞亭;徐应强;周志强;任正伟;牛智川;;2~3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料[A];2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会论文集[C];2007年
9 张务永;倪涛;高学邦;王生国;;X波段高增益功率放大器[A];2005'全国微波毫米波会议论文集(第一册)[C];2006年
10 管和松;李万成;高福斌;吴国光;夏小川;杜国同;;As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 田立强;高功率GaAs光电导开关的特性与击穿机理研究[D];西安理工大学;2009年
2 屈光辉;GaAs光电导开关中载流子输运规律研究[D];西安理工大学;2009年
3 杨智;GaAs光电阴极智能激活与结构设计研究[D];南京理工大学;2010年
4 牛军;变掺杂GaAs光电阴极特性及评估研究[D];南京理工大学;2011年
5 王卓;基于受激拉曼散射效应的窄带GaAs太赫兹辐射源及新型太赫兹探测技术的理论研究[D];天津大学;2009年
6 李冰寒;GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2004年
7 李晓峰;第三代像增强器研究[D];中国科学院西安光学精密机械研究所;2001年
8 詹琰;GaAs MESFET器件与光通信GaAs电路的研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
9 龚仁喜;GaAs光导开关的线性及非线性特性研究[D];西安电子科技大学;2002年
10 王禄;InAs/(In)GaAs量子点岛的光电性能与微结构研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 赵彦桥;大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布[D];河北工业大学;2007年
2 宿磊;掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究[D];大连理工大学;2012年
3 陈启燊;GaAs材料光电性质第一性原理研究[D];西安电子科技大学;2010年
4 康建磊;GaAs高频大功率场效应晶体管设计[D];河北工业大学;2011年
5 杨跃;新型GaAs基和Si基光电子材料系的研究[D];北京邮电大学;2011年
6 王生国;GaAs毫米波宽带功率MMIC[D];西安电子科技大学;2011年
7 郑美妹;谐振增强n型GaAs远红外同质结探测器的性能优化[D];上海交通大学;2010年
8 李寅鑫;高功率GaAs光电导开关设计技术研究[D];中国工程物理研究院;2009年
9 邓国贵;GaAs同质结远红外探测器的谐振腔设计[D];上海交通大学;2011年
10 曲光伟;GaAs微探尖的液相外延生长及其剥离技术[D];大连理工大学;2012年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 王小庆;四十六所:以GaAs生产为主[N];中国电子报;2002年
2 青山;砷化镓集成电路应用前景展望[N];中国电子报;2001年
3 CCID微电子研究所;日益丰富的半导体材料[N];中国电子报;2002年
4 本报记者 孙定;高频器件“三国演义”[N];计算机世界;2002年
5 ;NEPCON China 2011呈现电子制造世界无限精彩[N];中国电子报;2011年
6 《技术预测与国家关键技术选择》研究组、新材料领域组;电子信息材料发展趋势[N];中国社会科学院院报;2003年
7 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室 王占国;纳米半导体材料的评价技术[N];中国高新技术产业导报;2002年
8 王占国;加强信息功能材料和器件研究的建议[N];科技日报;2004年
9 ;实现GaAs技术的产业化[N];通信产业报;2001年
10 ;LED显示屏发展历程30年回顾[N];大众科技报;2005年
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