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电子束蒸发制备氮化硼薄膜的红外光谱研究

邓金祥  郭清秀  赵卫平  杨冰  杨萍  
【摘要】:正立方氮化硼薄膜是一种理想的新型宽带隙(Eg≈6.6eV)半导体薄膜材料。立方氮化硼具有高的电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成p型和n型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件,而且还可能用于制作场致电子发射器件(如:图象数字摄录和平面显示)。立方氮化硼还具有高的热导率以及与Si、GaAs更接近的热膨胀系数,使之可以成为很好的热沉材料。因此,立方氮化硼在电子学方面有着极其广泛的应用前景。

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