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一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法

龙世兵  李志刚  王丛舜  谢长青  张立辉  易里成荣  陈宝钦  赵新为  刘明  
【摘要】:正 单电子晶体管(SET)是一种基于库仑阻塞效应和量子隧穿效应的新型纳米电子器件,只需对一个或少数几个电子进行操作就可以工作。本文采用电子束光刻、感应耦合等离子体刻蚀等硅工艺技术在SIMOX衬底上制作了一种平面侧栅硅基单电子晶体管,并测量了其电输运特性。

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