Si／SiC先进陶瓷材料缺口蠕变损伤的试验研究

【摘要】：本文采用带缺口的四点弯曲试样对Si／SiC先进陶瓷材料(商业代号为KX01)进行了多向应力下材料蠕变行为的试验研究。试验温度为1300℃．试验的名义应力分别是 200MPa和240MPa,试样缺口根部半径分别是0．1mm、0．2mm、0．3mm、0．5mm和∞(光滑试样)。试验结果表明．KX01先进陶瓷材料表现出很低的缺口敏感性,即在相同的名义应力的情况下．带缺口四点弯曲试样的蠕变断裂寿命(或持久强度)与光滑的四点弯曲试样的试验结果几乎没有什么差别。同时,对试样蠕变损伤的显微分析显示,蠕变损伤散布于缺口附近一定的区域。该结果表明．材料具有较好的对应力集中的承受能力。

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