参数设置对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响

【摘要】：研究了提离值b和记录数据间隔s对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响。结果表明:垂直于缺陷主平面检测时,b为0~10mm时,磁场强度H_p(y)随b值增大下降较为明显,磁场梯度K值成线性下降;b10mm时,H_p(y)和K随b增大均下降较小。对于磁信号异常较为明显的部位,本试验中可最大在距其55mm远的距离检测到信号异常。为得到较高的灵敏度,提高检测准确度,在不损伤探头的前提下,应尽量减小b值。s大小对磁记忆信号影响较小,但也不可太大。