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热处理对TiNiPd薄膜形状记忆效应的影响

钱士强  徐艳  袁珏祥  
【摘要】:正形状记忆合金薄膜在微机电系统中有着其独特的发展应用优势。可用于微驱动器和微传感器。 TiNiPd合金薄膜的相变温度较高,可用于在100℃以上工作的器件。本文利用直流磁控溅射在玻璃片上制备TiNiPd薄膜,剥离薄膜试样并分别在500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃、进行1h的晶化处理,再将晶化后的薄膜在300℃、350℃、400℃、450℃、500℃进行1h或3h或8h的约束时效处理以改善形状记忆效应。使用示差扫描量热仪(DSC)测定薄膜的相变温度,通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)测定薄膜的相结构、观察薄膜的显微组织形貌,考察不同热处理制度对TiNiPd薄膜组织结构及形状记忆效应影响。

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