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硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析

高迎宾  张晓兵  雷威  王保平  
【摘要】:离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命。本文阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行了的分析,得出了一些有用的结论。

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