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980nm垂直外腔面发射激光器理论分析

单肖楠  路国光  何春凤  秦莉  晏长岭  王立军  
【摘要】:利用周期谐振增益结构设计了以 InGaAs/GaAsP/AlGaAs 为有源区的980 nm 二极管抽运垂直外腔面发射半导体激光器的材料结构。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参量。优化了激光器特征参量并设计了光抽运垂直外腔面发射激光器的器件结构。理论计算表明,激光二极管(LD)抽运的垂直外腔面发射激光器的输出功率将大于1W。

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