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13.2W连续输出1540nm波段半导体激光阵列模块

尧舜  刘云  王祥鹏  刘云  姚迪  王立军  
【摘要】:利用 InGaAsP/InP 应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光阵列模块。激光芯片宽1cm,腔长 1000μm,条宽100μm,填充密度为20%,前后腔面光学膜分别为单层 Al_2O_3和3(Si/Al_2O_3),特征温度为68K,室温连续输出功率达到13.2W,器件光谱中心波长为1535.5nm,光谱宽度(FWHM)为6.5nm。

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