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多孔硅发光机理的正电子湮没研究

王丹妮  李卓昕  秦秀波  王宝义  
【摘要】:正使用不同工艺制备了不同孔隙率的多孔硅样品,采用正电子湮没寿命谱和正电子寿命-动量关联谱(AMOC)方法,本工作系统研究了多孔硅样品的孔隙率及孔壁内部化学环境与多孔硅发光性能的关系。结果表明,酸浸泡和腐蚀过程增加紫外照射均可增大孔径尺寸,一定功率紫外灯照射可以提高多孔硅样品的孔密度。同时不同的制备条件对样品的孔内壁悬挂键的数量也有影响,结合样品的发射光谱结果,多孔硅薄膜的发光过程在微观上遵从量子限制效应,孔内壁的悬挂键也是影响发光性能的主要因素。

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