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中子辐照超深亚微米NMOSFET的数值模拟研究初探

王祖军  陈伟  王桂珍  唐本奇  肖志刚  黄绍艳  刘敏波  张勇  刘以农  
【摘要】:初步研究了沟道长为0.18μm的超深亚微米LDD NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理;数值模拟了0.18μm LDD NMOSFET的阈值电压和亚阈值电流随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系;通过数值模拟比较了中子辐照诱发的不同缺陷能级对0.18μm超深亚微米LDD NMOSFET的影响。部分数值模拟结果与反应堆中子辐照实验结果进行了比对。

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