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脉冲慢正电子束流的检测

王宝义  曹兴忠  魏存峰  章志明  马创新  张天保  魏龙  
【摘要】:正 1 引言慢正电子束流依据其初始正电子的产生机制不同主要分为两类,一类是基于放射性同位素作正电子源:另一类是基于电子直线加速器(LINAC)高能电子束打靶产生正电子。由于正电子慢化效率很低以及正电子源强度的限制,基于放射性同位素的慢正电子束流强度一般较低,较难应用到如慢正电子寿命测量、慢正电子诱导Auger电子能谱测量等需要较高束流强度的实验中。北京慢正电子强束流项目利用北京正负电子对撞机(BEPC)电子直线加速器电子打靶的方式作为初级正电子源,从而产生高强度和高亮度的低能单色慢正电子束流。模拟计算表明,在对撞机目前的运行模式下,慢正电子束流强度可以达到106/s慢正电子束流,对撞机二期工程改造后,慢正电子束流强度可以达到108/s量级。对撞机为脉冲式工作模式,重复频率12.5 Hz,在每个极短脉冲中含约105个正电子,无法用通常计数方法来测量其强度

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