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用正电子湮没技术研究半导体材料GaSb的微结构

邵云东  王柱  
【摘要】:GaSb是一种新兴的半导体光电材料,它有禁带宽度窄的特点,可以用来制作长波长发光器件及其衬底,在制作太阳能电池方面也有着非常广阔的前景。GaSb体材料中的缺陷种类多而且复杂,许多研究者都怀疑原生GaSb呈P型的原因就是其体材料中的某种缺陷或者多种缺陷相互作用的综合效果。正电子湮没技术非常适合于研究半导体材料中的缺陷。许多研究者已经在用正电子湮没技术研究GaSh缺陷方面开展了很多工作,本文将综合讨论GaSb中的缺陷及正电子湮没技术在这方面的应用。

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