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Si注入热生长SiO_2薄膜的辐照损伤研究

周春兰  王丹妮  马创新  章志明  王宝义  魏龙  叶伯年  黄建鸣  
【摘要】:正 SiO2薄膜作为一种在微电子工艺上使用的重要的绝缘介质,其微观结构直接影响到其电学性能,特别是其中的缺陷和杂质带来的影响尤为明显,例如,在SiO2和Si基底之间界面处存在的氧空位缺陷能够俘获电子等。Si离子注入热生长的SiO2薄膜中会产生氧空位等缺陷,本文利用慢正电子束流技术,结合PL光谱研究了SiO2薄膜缺陷的退火行为。SiO2薄膜是在1100℃氧气氛下氧化3小时制备得到,离子注入是利用上海应用物理研究所的同位素分离装置完成的,注入离子的剂量从1×1014-1×1017,

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