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硅烷和硅的质量衰减截面实验测量

王大椿  罗平安  扬华  
【摘要】:正在1 kev 到6 keV X 射线能区里,一直没有硅元素的质量衰减截面的实验数据。这给和 X 射线有关的分析测量或实际应用带来不便。因此,在 IAEA 的支持下,我们用高能质子激发单元素靶或化合物靶产生的特征 X 射线源系统地测量了(1.4-15keV 能区)硅烷和(8.30keV 能区)硅元素的质量衰减截面,实验误差为±1%-±2%。

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