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CMOS SOI SRAM电路的抗单粒子能力研究

赵凯  高见头  杨波  李宁  于芳  刘忠立  肖志强  洪根深  
【摘要】:单粒子事件成为影响航天器的在轨寿命和可靠性的重要因素,提高SRAM的抗单粒子能力,正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。商用体硅SRAM的抗SEU水平相对较低,难以满足单粒子加固的要求。采用SOI技术,能够将SRAM产品的抗单粒子性能提高2~5倍。文中比较了国外SOI基SRAM芯片及IBM Power PC750芯片的抗单粒子辐射试验结果。同时,给出自主研制的国产128K SOI SRAM的抗单粒子辐射试验结果,其翻转LET阈值大于61.8MeV/(mg/cm~2)。采用SOI加固工艺制造SRAM等关键元器件,正成为提高芯片抗单粒子辐射能力的一条重要途径。

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