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ONO反熔丝FPGA抗电离辐照性能研究

杜川华  詹峻岭  
【摘要】:描述了在受到电离辐照时,ONO薄膜内部电子—空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法,计算了不同能量光子辐照下,ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积,并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A1460A设计延时电路,进行了钴源电离辐照试验。模拟计算和辐照试验的结果都说明了ONO反熔丝结构的FPGA具有较好的抗电离总剂量辐照的性能。

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